臺海網3月29日訊 (海峽導報記者 駱余民 通訊員 雷飏)導報記者昨日獲悉,位于廈門火炬高新區(qū)的聯(lián)芯集成電路制造(廈門)有限公司,已于今年2月成功試產采用28納米HKMG(高介電常數金屬閘極)工藝制程的客戶產品,試產良率高達98%,創(chuàng)歷史新高。這也是中國大陸目前集成電路最先進技術最高良率。
據介紹,聯(lián)芯28納米High-K/Metal Gate 工藝制程采用了目前全球最先進的Gate Last制程技術,能大幅減少柵極的漏電量,提升晶體管性能,可應用于更多樣化的各類電子產品,包括高性能應用處理器和移動基帶功能。
聯(lián)芯集成電路制造項目總投資62億美元,于2016年11月正式營運投產,是海峽兩岸合資建設的第一座12英寸晶圓廠,也是福建省目前投資金額最大的單體項目。
