瀚天天成碳化硅外延晶片實(shí)驗(yàn)室
瀚天天成生產(chǎn)車(chē)間
小米氮化鎵充電器
碳化硅是最接近大規(guī)模商業(yè)化的第三代半導(dǎo)體材料。
臺(tái)海網(wǎng)7月4日訊 據(jù)廈門(mén)晚報(bào)報(bào)道 以前，手機(jī)、筆記本電腦乃至剃須刀、電動(dòng)牙刷，它們的充電器五花八門(mén)，互不通用。最近，在小米有品上線的氮化鎵充電器，一定程度上可解決這個(gè)問(wèn)題。它體積小巧，提供3個(gè)快充接口。
目前，除了氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）外，絕大部分第三代半導(dǎo)體材料還處在實(shí)驗(yàn)室階段。去年，廈門(mén)市科技局啟動(dòng)“未來(lái)產(chǎn)業(yè)培育工程”，對(duì)十大未來(lái)產(chǎn)業(yè)進(jìn)行搶先布局，第三代半導(dǎo)體就是其中之一。廈門(mén)已成為國(guó)內(nèi)具有較為完整產(chǎn)業(yè)鏈的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)特色集聚區(qū)之一。
在碳化硅研發(fā)上 部分廈企取得突破
廈門(mén)紫硅半導(dǎo)體總經(jīng)理張峰介紹，第一代半導(dǎo)體材料主要是指硅（Si）、鍺元素（Ge）半導(dǎo)體材料。第二代半導(dǎo)體材料主要指化合物半導(dǎo)體材料，比如砷化鎵等，主要用于制作高速、高頻、大功率以及發(fā)光電子器件。相比之下，第三代半導(dǎo)體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場(chǎng)、更高的熱導(dǎo)率、更大的電子飽和度以及更高的抗輻射能力。
碳化硅屬于第三代半導(dǎo)體材料，也是目前發(fā)展最成熟的寬禁帶半導(dǎo)體材料。世界各國(guó)紛紛投入大量的人力物力積極發(fā)展，從國(guó)家層面上制定了相應(yīng)的研究規(guī)劃。一些國(guó)際電子業(yè)巨頭也投入巨資發(fā)展碳化硅半導(dǎo)體器件。張峰說(shuō)，包括紫硅半導(dǎo)體在內(nèi)，廈門(mén)有一些企業(yè)在碳化硅的研究上取得了不小的突破。碳化硅是制作高溫、高頻和大功率電力電子器件的理想材料。很多碳化硅功率器件可以用于新能源充電樁和新能源汽車(chē)電源上，器件的體積可以做到更小，節(jié)能減排，還能提供更高的效率。
他說(shuō)，目前，美國(guó)、日本及歐洲在第三代半導(dǎo)體碳化硅、氮化鎵等技術(shù)上擁有絕對(duì)的話語(yǔ)權(quán)。相比美、日，我國(guó)起步較晚，水平較低，但由于第三代半導(dǎo)體還有很大的發(fā)展空間，各國(guó)都處于發(fā)力階段，因此被視作一次彎道超車(chē)的機(jī)會(huì)。
“第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)也是‘中國(guó)制造2025’中的高端裝備制造、高壓輸變電、軌道交通、純電動(dòng)汽車(chē)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基礎(chǔ)。”張峰說(shuō)，從廈門(mén)布局第三代半導(dǎo)體碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈的情況看，目前，我市已形成晶片加工、外延加工、芯片制造、器件封裝與應(yīng)用的產(chǎn)業(yè)鏈布局。
